

1、背面減薄
晶圓正面電路做完后,從晶圓背面去除襯底硅材料,把原本 725?775μm 的標準硅片,減到幾十~一百多微米,屬于后道 / 先進封裝關(guān)鍵工藝。

2、晶圓切割
把整片晶圓拆分成一顆顆獨立晶粒。
3、貼片
晶圓切割后,把裸硅芯片(晶粒)貼到引線框架、陶瓷基板上,屬于芯片封裝第一道關(guān)鍵工序,也叫晶粒粘接。
4、引線鍵合
引線鍵合是半導(dǎo)體封裝最主流的一級互連工藝,用微米級金屬細導(dǎo)線,把芯片(Die)焊盤和引線框架 / 基板焊盤做冶金焊接,實現(xiàn)芯片電源、信號對外傳輸。
5、模塑
用環(huán)氧塑封料 EMC把芯片、焊線、部分基板整體包裹固化,實現(xiàn)保護、絕緣、支撐、散熱。
6、切筋/成型
針對引線框架(Lead?frame)產(chǎn)品,基板類(BGA)一般無此工序。
7、終測
芯片制造完成后進行最終的性能測試。
芯片倒角機在半導(dǎo)體行業(yè)中的具體應(yīng)用
晶圓減薄機技術(shù)的突破與挑戰(zhàn)
減薄機廠家介紹晶圓減薄的流程