1.拉單晶

拉單晶?是從熔體中生長單晶體的工藝，主流為?直拉法?（CZ 法），這是制造半導(dǎo)體硅片的核心技術(shù) 。

2. 磨外圓

把不規(guī)則硅棒磨削成直徑精準(zhǔn)、全長均勻的標(biāo)準(zhǔn)圓柱體。

3. 切片

硅單晶切片，就是把直拉 / 區(qū)熔硅單晶棒加工成薄硅片（光伏硅片、半導(dǎo)體晶圓毛坯片）的核心工序，行業(yè)簡稱切片（Slicing）。

4. 倒角

晶棒多線切片之后，晶圓側(cè)邊形成尖銳直角；晶圓倒角就是利用成型金剛石磨輪，磨削去除晶圓上下表面與側(cè)面相交的銳利棱角，把邊緣加工成指定輪廓（R 圓弧型 / T 梯形）。

5. 磨削/研磨

硅晶圓原始厚度：775 μm（300mm 硅片）/625μm（200mm）；前道做完電路之后，需要磨削背面硅基底，把晶圓減薄，滿足封裝散熱、堆疊、超薄芯片需求。

6. CMP拋光

CMP 俗稱化學(xué)機(jī)械平坦化，是集成電路制造唯一可實(shí)現(xiàn)整片晶圓全局平坦化的核心工藝。 多層薄膜沉積、刻蝕后晶圓表面形成高低臺階；如果不做平坦化，光刻景深不足、圖形偏移，造成短路斷路。90nm 及以下先進(jìn)制程必不可少。